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CCD多晶硅层间复合介质技术

采用了二氧化硅-氮化硅复合介质膜作为CCD多晶硅层间绝缘层,具有高击穿强度、低缺陷密度、低漏电流等优点,解决了CCD多晶硅层间介质层质量差造成多晶硅层间击穿电压低、成品率低、可靠性...

机构: 中国电子科技集团成果转化(浙江)中心

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CCD交叠区域两层多晶硅之间的介质层质量影响器件成品率、可靠性和性能。由于多晶硅表面不平滑,多晶硅氧化膜质量明显比单晶硅氧化膜质量差,CCD多晶硅层间容易产生漏电现象,降低器件成品率和可靠性,直流成品率小于40%,可靠性试验过程中易失效。 采用了二氧化硅-氮化硅复合介质膜作为CCD多晶硅层间绝缘层,具有高击穿强度、低缺陷密度、低漏电流等优点,解决了CCD多晶硅层间介质层质量差造成多晶硅层间击穿电压低、成品率低、可靠性差等问题。该技术包含氧化和氮化硅工艺,可根据实际器件制作需要来调整多晶硅氧化工艺来改变多晶硅层间介质层厚度。该技术为共性技术,可以应用于所有CCD研制和生产。 多晶硅层间复合介质技术使得CCD多晶硅层间击穿电压从30V提高到100V,直流成品率40%提高到87%,交流成品率从30%提高到80%,显著改善了多输出端CCD均匀性一致性。 该技术在CCD应用上属于国内首创,处于国际先进水平,使CCD多晶硅层间介质质量与SONY水平相当,介质层厚度可减小到65nm。